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更新日期：2024-03-20
簡要描述：
日本nittan高導熱AIN（氮化鋁）NPL-3它具有與硅相匹配的優(yōu)異散熱和膨脹率，由于其*的成分和制造方法而具有精細的晶體結構，并被具有優(yōu)異強度和韌性的材料、半導體制造設備和其他周邊零件快速加熱?？焖倮鋮s和散熱。
日本nittan高導熱AIN（氮化鋁）NPL-3
它具有與硅相匹配的優(yōu)異散熱和膨脹率，由于其*的成分和制造方法而具有精細的晶體結構
，并被具有優(yōu)異強度和韌性的材料、半導體制造設備和其他周邊零件快速加熱?？焖倮鋮s和散熱。-由于氣孔極少，因此可實現優(yōu)異的搭接表面和高表面精度。
氮化鋁 NPL-3 的特點
1. 高導熱系數 導熱系數
2.170-180W /m·k 2. 高強度抗彎強度 400MPa
3. 高硬度 Hardness HV1000, HRA89
4. 低熱膨脹 熱膨脹系數 5.0 × 10 -6 / ℃ (Silicon: 4.2 × 10 ) -6 /℃)
用途
鍵合工具
散熱
片 散熱片
半導體基板
虛擬晶圓等
實際尺寸：500L x 65 x 30，φ300 x 30
日本nittan高導熱AIN（氮化鋁）NPL-3
NPL-2, 3 的特點
2. 高強度、高硬度 400MPa,Hv1000
3. 熱膨脹系數與 Si 5.0 × 10-6 1 / K 相似
4. 大產品可以制造φ400×30，□30×1000L等
